Allgemein
| Basis-Teilenummer | SUF30 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SUF30J-E3/73
Analog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 600V 3A P600
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | P600, Axial |
| Hersteller-Gehäuse | P600 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|