Allgemein
| Basis-Teilenummer | SS2FH6 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SS2FH6HM3/H
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 780 mV @ 2 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 µA @ 60 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-219AB |
| Hersteller-Gehäuse | DO-219AB (SMF) |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |