Allgemein
| Capacitance @ Vr, F | 32pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Teilestatus | Aktiv |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 µs |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SE50PAJHM3/H
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.16 V @ 5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | DO-221BC (SMPA) |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |