Allgemein
| Basis-Teilenummer | RS2B |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
RS2B-E3/52T
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Hersteller-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|