RMPG06D-E3/100

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

RMPG06D-E3/100

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06

AktivMPG06, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRMPG06
Capacitance @ Vr, F6.6pF @ 4V, 1MHz
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)150 ns
SerieSUPERECTIFIER®
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Box (TB)
Package / CaseMPG06, Axial
Hersteller-GehäuseMPG06

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C