Allgemein
| Basis-Teilenummer | NSB8 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Obsolet |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
NSB8BT-E3/45
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-263AB (D2PAK) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|