Allgemein
| Basis-Teilenummer | GSIB640 |
|---|---|
| Diode Type | Single Phase |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Aktiv |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GSIB640N-M3/45
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
BRIDGE RECT 1P 400V 6A GSIB-5S
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 3 A |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 400 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 400 V |
Mechanisch
| Package / Case | 4-SIP, GSIB-5S |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | GSIB-5S |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|