GBU8D-E3/45

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU8D-E3/45

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

Aktiv4-SIP, GBUAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGBU8
Diode TypeSingle Phase
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 8 A
Voltage - Peak Reverse (Max)200 V
Current - Average Rectified (Io)3.9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 200 V

Mechanisch

Package / Case4-SIP, GBU
Hersteller-GehäuseGBU

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)