G5SBA20-E3/51

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

G5SBA20-E3/51

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.8A GBU

Aktiv4-SIP, GBUAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerG5SBA20
Diode TypeSingle Phase
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.05 V @ 3 A
Voltage - Peak Reverse (Max)200 V
Current - Average Rectified (Io)2.8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 200 V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case4-SIP, GBU
Hersteller-GehäuseGBU

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)