G2SB80-M3/45

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

G2SB80-M3/45

Analog & Leistungselektronik

DIODE BRIDGE

Obsolet4-SIP, GBLAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerG2SB80
Diode TypeSingle Phase
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 750 mA
Voltage - Peak Reverse (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io)1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-SIP, GBL
Hersteller-GehäuseGBL

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)