Allgemein
| Basis-Teilenummer | ESH2 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ESH2C-E3/5BT
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930 mV @ 2 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 150 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Hersteller-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|