BZD27B4V7P-M3-08

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZD27B4V7P-M3-08

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB

AktivDO-219ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBZD27B4V7
Impedance (Max) (Zzt)7 Ohms
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieBZD27B-M

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 200 mA
Voltage - Zener (Nom) (Vz)4.7 V
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1 V
Power - Max800 mW

Mechanisch

Package / CaseDO-219AB
Hersteller-GehäuseDO-219AB (SMF)

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 175°C