BYWF29-50HE3_A/P

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BYWF29-50HE3_A/P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC

AktivTO-220-2 Full Pack, Isolated TabAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBYWF29
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Hersteller-GehäuseITO-220AC

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C