Allgemein
| Basis-Teilenummer | BYVB32 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Last Time Buy |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYVB32-50-E3/81
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 18A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Hersteller-Gehäuse | TO-263AB (D2PAK) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
|---|