Allgemein
| Basis-Teilenummer | BYT51 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Tape & Box (TB) |
| Teilestatus | Aktiv |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs |
| Technologie | Avalanche |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYT51A-TAP
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE AVALANCHE 50V 1.5A SOD57
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 50 V |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | SOD-57, Axial |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | SOD-57 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|