Allgemein
| Basis-Teilenummer | BYG10 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Teilestatus | Aktiv |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs |
| Technologie | Avalanche |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG10K-E3/TR3
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 800 V |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|