Allgemein
| Basis-Teilenummer | BAS386 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Teilestatus | Aktiv |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BAS386-TR3
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 100 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 40 V |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Mechanisch
| Package / Case | 2-SMD, No Lead |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | MicroMELF |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |