Allgemein
| Basis-Teilenummer | 8EWS10 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
8EWS10STRL
Analog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1000 V |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-252AA (DPAK) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|