UJ3C065030B3

UnitedSiC

UJ3C065030B3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 50A, 12V
Basis-TeilenummerUJ3C065030
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
HerstellerUnitedSiC
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 10mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Max. Verlustleistung242W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)