SI2312A

UMW

SI2312A

Analog & Leistungselektronik

20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
HerstellerUMW
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieUMW
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Max. Verlustleistung750mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)