SI2303

UMW

SI2303

Analog & Leistungselektronik

SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.7A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds155 pF @ 15 V
HerstellerUMW
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieUMW
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Ta)
Max. Verlustleistung900mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)