1N60L

UMW

1N60L

Analog & Leistungselektronik

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
HerstellerUMW
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieUMW
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252 (DPAK)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)