HCT7000M

TT Electronics/Optek Technology

HCT7000M

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD

Aktiv3-SMD, No LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerHCT7000
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
HerstellerTT Electronics/Optek Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±40V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Max. Verlustleistung300mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case3-SMD, No Lead
Hersteller-Gehäuse3-SMD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)