TPH3205WSBQA

Transphorm

TPH3205WSBQA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET N-CH 650V 35A TO247-3

AbgekündigtTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 22A, 8V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 400 V
HerstellerTransphorm
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 700µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Max. Verlustleistung125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)