TP65H035WSQA

Transphorm

TP65H035WSQA

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 32A, 10V
Basis-TeilenummerTP65H035
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 400 V
HerstellerTransphorm
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C47.2A (Tc)
Max. Verlustleistung187W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)