TP65H035WS

Name: TP65H035WS
Brand: Transphorm

Analog & Leistungselektronik

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 400 V
Hersteller	Transphorm
Montageart	Through Hole
Verpackung	Tube
Teilestatus	Aktiv
Technologie	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	46.5A (Tc)
Max. Verlustleistung	156W (Tc)

Package / Case	TO-247-3
Hersteller-Gehäuse	TO-247-3

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)