TTC5200(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS NPN 230V 15A TO3P

AktivTO-3PLAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerTTC5200
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 800mA, 8A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)230 V
Current - Collector (Ic) (Max)15 A
Current - Collector Cutoff (Max)5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 1A, 5V
Power - Max150 W
Frequency - Transition30MHz

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseTO-3PL
Hersteller-GehäuseTO-3P(L)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)