Allgemein
| Basis-Teilenummer | TTC012 |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 62.5mA, 500mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 375 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 300mA, 5V |
| Power - Max | 1.1 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| Hersteller-Gehäuse | PW-MOLD2 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|