Allgemein
| Basis-Teilenummer | TTC0002 |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 900mA, 9A |
Toshiba Semiconductor and Storage
TTC0002(Q)
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
TRANS NPN 160V 18A TO3P
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 180 W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-3PL |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P(L) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|