Allgemein
| Basis-Teilenummer | TRS12N65 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS12N65FB,S1Q
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 6 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 650 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-247 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|