Allgemein
| Basis-Teilenummer | TRS12E65 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS12E65C,S1Q
Analog & Leistungselektronik
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 12 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 170 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220-2L |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
|---|