TPHR9203PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9203PL,L1Q

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerTPHR9203
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7540 pF @ 15 V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieU-MOSIX-H
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 500µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)
Max. Verlustleistung132W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-SOP Advance (5x5)

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)