TPH1500CNH1,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1500CNH1,LQ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.4mOhm @ 19A, 10V
Basis-TeilenummerTPH1500
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 75 V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C74A (Ta), 38A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 170W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-SOP Advance (5x5.75)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C