TPD7107F,BXH

Toshiba Semiconductor and Storage

TPD7107F,BXH

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IPD MOSFET IC WSON10 PD=1.84W VD

Aktiv10-WFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)5mA
Logic Voltage - VIL, VIH0.6V, 2.4V
Versorgungsspannung5.75V ~ 26V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case10-WFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse10-WSON (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TJ)