TPCF8304(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8304(TE85L,F,M

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 1.6A, 10V
Basis-TeilenummerTPCF8304
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A
Power - Max330mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseVS-8 (2.9x1.5)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)