TPCC8009,LQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8009,LQ(O

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 12A, 10V
Basis-TeilenummerTPCC8009
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1270 pF @ 10 V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieU-MOSIV
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 200µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-TSON Advance (3.1x3.1)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)