TPC8228-H,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8228-H,LQ

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 1.9A, 10V
Basis-TeilenummerTPC8228
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 10V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieU-MOSVI-H
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A
Power - Max1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C