TPC8207(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Obsolet8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 4.8A, 4V
Basis-TeilenummerTPC8207
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2010pF @ 10V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 200µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max750mW

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP (5.5x6.0)