TPC8109(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8109(TE12L)

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP

Obsolet8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerTPC8109
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2260 pF @ 10 V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP (5.5x6.0)