Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | TK60E08 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung | 75 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| Max. Verlustleistung | 128W |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220-3 |