Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 12.5A, 10V |
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| Basis-Teilenummer | TK25E06 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | U-MOSIV |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 60W (Tc) |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur | 150°C(TJ) |
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