TB67Z800FTG,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

TB67Z800FTG,EL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

INVERTER/3 HALF BRIDGE MOSFETS W

Aktiv36-VFQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

AusgangskonfigurationHalf Bridge (3)
AnwendungenGeneral Purpose
Fault ProtectionCurrent Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
SchnittstelleLogic
Load TypeInductive, Capacitive
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Ausgangsstrom pro Kanal3A
Lastspannung5.5V ~ 22V
Versorgungsspannung5.5V ~ 22V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case36-VFQFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse36-VQFN (5x5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~105°C(TA)