SSM6P49NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.5A, 10V
Basis-TeilenummerSSM6P49
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 10V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-UDFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)