SSM6P36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P36TU,LF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 0.33A UF6

Aktiv6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Basis-TeilenummerSSM6P36
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 10V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C330mA (Ta)
Power - Max500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseUF6

Umwelt

Betriebstemperatur150°C