Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | SSM6P16 |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11 pF @ 3 V |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 150mW (Ta) |
| Gehäuse | Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Hersteller-Gehäuse | ES6 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|