SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

ObsoletSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 500mA, 4.5V
Basis-TeilenummerSSM6N42
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 10V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA
Power - Max150mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseES6

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)