SSM6L14FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L14FE(TE85L,F)

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Basis-TeilenummerSSM6L14
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 10V, 110pF @ 10V
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta), 720mA (Ta)
Power - Max150mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseES6

Umwelt

Betriebstemperatur150°C