MT3S111P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

ObsoletTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerMT3S111
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f)1.25dB @ 1GHz
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)6V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 30mA, 5V
Power - Max1W
Frequency - Transition8GHz
Gain10.5dB

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäusePW-MINI

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)