Allgemein
| Basis-Teilenummer | JDV2S10 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 3.4pF @ 2.5V, 1MHz |
| Capacitance Ratio | 2.55 |
| Capacitance Ratio Condition | C0.5/C2.5 |
| Diode Type | Single |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Toshiba Semiconductor and Storage
JDV2S10FS(TPL3)
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE VARICAP VCO 10V FSC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 10 V |
|---|
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
| Hersteller-Gehäuse | fSC |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|