Allgemein
| Basis-Teilenummer | JDH2S02 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.25pF @ 200mV, 1MHz |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
JDH2S02SL,L3F
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 10V 10MA SL2
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 10 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 500 mV |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-SMD, No Lead |
| Hersteller-Gehäuse | SL2 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|